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Ingenius. Revista de Ciencia y Tecnología

versão On-line ISSN 1390-860Xversão impressa ISSN 1390-650X

Resumo

DEL POZO, Freddy G.  e  MAS-TORRENT, Marta. Deposición convectiva rápida a escala nanométrica de materiales compuestos activos para la fabricación de transistores orgánicos de efecto de campo. Ingenius [online]. 2021, n.26, pp.9-16. ISSN 1390-860X.  https://doi.org/10.17163/ings.n26.2021.01.

Transistores orgánicos de efecto de campo basados en un material compuesto han sido fabricados por medio de la técnica de deposición convectiva rápida. La fabricación fue llevada a cabo bajo condiciones ambientales (aire, luz y humedad). En todos los casos, los transistores fabricados muestran un claro comportamiento de efecto de campo con características de semiconductor tipo-p, y exhiben movilidades en el orden de 10−2 cm2/V.s, totalmente comparables con transistores obtenidos por evaporación térmica del mismo material activo. La técnica de deposición demuestra que se pueden obtener dispositivos con alta reproducibilidad y que en todos los casos muestran una baja tensión umbral de alrededor 1 V. Por lo tanto, se demuestra que la deposición convectiva rápida puede ser usada para la fabricación de transistores orgánicos de efecto de campo sobre áreas amplias, con indicadores de reproducibilidad entre dispositivos y alta estabilidad en condiciones ambiente.

Palavras-chave : transistores orgánicos de efecto de campo; deposición convectiva rápida; materiales compuesto.

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