BRITO DEL PINO, Jose; BRITO DEL PINO, Felipe    BRITO DEL PINO, Moshe. Non-destructive Inspection of Voids on Power MOSFET’s. []. , 2, 1, pp.41-49.   06--2019. ISSN 2631-2654.  https://doi.org/10.37135/unach.ns.001.03.05.

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Los vacíos pueden afectar la función normal de los transistores de efecto de campo Metal-Oxide-Semiconductor (MOSFET) si son más del 25 % del área total, siendo esta una característica importante en el control de calidad de los vacíos en el proceso de fabricación. El método experimental se empleó utilizando la microscopía electrónica de barrido con espectroscopia de dispersión de energía (SEM-EDS) y la técnica de microtomografía. El método de microscopía electrónica de barrido con espectroscopia de dispersión de energía permitió la cuantificación de las características químicas y físicas de la capa de soldadura en cada dispositivo. El método de microtomografía se ha utilizado como método de inspección no destructiva (NDI) en los MOSFET de potencia para cuantificar los huecos. La metodología de investigación permitió la cuantificación de los vacíos con el objetivo de inspeccionar las imperfecciones de fabricación que influyen en el rendimiento del dispositivo. La programación orientada a objetos se desarrolló utilizando el software LabView que permite mejorar la detección de huecos desde una imagen con disorsión, cuantificar microvoides y macrovoides, la ubicación en la capa de soldadura utilizando el centro de masa de vaciado y su resultado estadístico. Los resultados del análisis de vacíos demostraron que la técnica y los métodos utilizados para este tipo de detección de defectos en Power MOSFET podrían representar una herramienta NDI adecuada para el control de calidad.

Voids can affect the normal function on Power Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors (MOSFET’s) if they are over 25% of the total area, this being an important feature in the quality control of voids on the manufacturing process. The experimental method was employed using the Scanning Electron Microscopy with Energy Dispersive Spectroscopy (SEM-EDS) and microtomography techniques. The scanning electron microscopy with energy dispersive spectroscopy method permitted the quantification of the chemical and physical characteristics of the solder layer in each device. The microtomography method has been employed as a Non-Destructive Inspection (NDI) method on Power MOSFET’s to quantify the voids. The research methodology permitted the quantification of the voids with the aim of inspecting the manufacturing imperfections which can influence the performance of the device. The object-oriented programming was developed using LabView software which allowed improving the voids detection from an image with distortion, quantifying microvoids and macrovoids, locating in the solder layer using the voiding mass center and obtaining the statistic result. The results of analyzing voids demonstrated that the technique and the methodologies employed for this type of defect detection in Power MOSFET’s could represent a suitable NDI tool for quality control.

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